Image is for reference only , details as Specifications

TK10Q60W,S1VQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK10Q60W,S1VQ
Descripción: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) - Id 3.7V @ 500µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 430mOhm @ 4.9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 80W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I-PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 700pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.23 $2.19 $2.14
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SPA15N65C3XKSA1
Infineon Technologies
$2.26
IPB50R140CPATMA1
Infineon Technologies
$0
IXTP26P10T
IXYS
$2.32
IXTP15P15T
IXYS
$2.32
IXFA4N100P
IXYS
$2.32