TK10P60W,RVQ
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TK10P60W,RVQ |
Descripción: | MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | Super Junction |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) - Id | 3.7V @ 500µA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 430mOhm @ 4.9A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 80W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | DPAK |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 20nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 600V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 700pF @ 300V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9.7A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 1646 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1