Image is for reference only , details as Specifications

TK10A60W,S4X

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK10A60W,S4X
Descripción: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 3.7V @ 500µA
Rds On (Max) - Id, Vgs 380mOhm @ 4.9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 720pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.56 $1.53 $1.50
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

DMJ65H650SCTI
Diodes Incorporated
$1.56
IPP60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
$1.56
IPA60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
$1.56
IRF9Z10
Vishay / Siliconix
$1.55
IPB65R190CFDATMA2
Infineon Technologies
$1.55