TK100E06N1,S1X
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TK100E06N1,S1X |
Descripción: | MOSFET N CH 60V 100A TO-220 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSVIII-H |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 255W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 140nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 10500pF @ 30V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 100A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 31 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.38 | $2.33 | $2.29 |
Mínimo: 1