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TK100E06N1,S1X

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK100E06N1,S1X
Descripción: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 255W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 140nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 10500pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 31 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.38 $2.33 $2.29
Mínimo: 1

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