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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) |
| Descripción: | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVI |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | +10V, -20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 104mOhm @ 4A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 27W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | DPAK+ |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 19nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 890pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 8A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
En stock 94 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.46 | $0.45 | $0.44 |
Mínimo: 1
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