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TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Descripción:	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVI
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id	3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	44mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	27W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	DPAK+
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	19nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	930pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V