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T2N7002BK,LM

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	T2N7002BK,LM
Descripción:	MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVII-H
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id	2.1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.5Ohm @ 100mA, 10V
Disipación de energía (máx.)	320mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	SOT-23-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	0.6nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	40pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	400mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V