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SSM6P35AFE,LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SSM6P35AFE,LF
Descripción: SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie U-MOSVII
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate, 1.2V Drive
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 150mW (Ta)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento 150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores ES6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs -
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 42pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 250mA (Ta)

En stock 8000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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