SSM6N815R,LF
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SSM6N815R,LF |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | U-MOSVIII-H |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 1.8W (Ta) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-SMD, Flat Leads |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 100µA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C |
Paquete de dispositivos de proveedores | 6-TSOP-F |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 290pF @ 15V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2A (Ta) |
En stock 1135 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1