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SSM6N815R,LF
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | SSM6N815R,LF |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Característica FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 1.8W (Ta) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 6-SMD, Flat Leads |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 100µA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 6-TSOP-F |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 290pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2A (Ta) |
En stock 1135 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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