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SSM6N57NU,LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SSM6N57NU,LF
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 46mOhm @ 2A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 6-µDFN (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 4nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 310pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A

En stock 5666 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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