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SSM6N357R,LF

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	SSM6N357R,LF
Descripción:	SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Característica FET	Standard
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	1.5W (Ta)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	6-SMD, Flat Leads
Vgs(th) (Max) - Id	2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.8Ohm @ 150mA, 5V
Paquete de dispositivos de proveedores	6-TSOP-F
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	1.5nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	60pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	650mA (Ta)