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SSM6N15AFE,LM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SSM6N15AFE,LM
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Número de pieza base SSM6N15
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4Ohm @ 10mA, 4V
Paquete de dispositivos de proveedores ES6 (1.6x1.6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs -
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 7.8pF @ 3V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100mA

En stock 51 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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