SSM6L35FE,LM
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SSM6L35FE,LM |
Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
Tipo FET | N and P-Channel |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Número de pieza base | SSM6L35 |
Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 3Ohm @ 50mA, 4V |
Paquete de dispositivos de proveedores | ES6 (1.6x1.6) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | - |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 9.5pF @ 3V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 180mA, 100mA |
En stock 7095 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.46 | $0.45 | $0.44 |
Mínimo: 1