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SSM6L35FE,LM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SSM6L35FE,LM
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Número de pieza base SSM6L35
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 4V
Paquete de dispositivos de proveedores ES6 (1.6x1.6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs -
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 9.5pF @ 3V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 180mA, 100mA

En stock 7095 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.46 $0.45 $0.44
Mínimo: 1

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