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SSM6L09FUTE85LF
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | SSM6L09FUTE85LF |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 300mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1.8V @ 100µA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 700mOhm @ 200MA, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | US6 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | - |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 20pF @ 5V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 400mA, 200mA |
En stock 6162 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.56 | $0.55 | $0.54 |
Mínimo: 1
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