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SSM6K361NU,LF

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SSM6K361NU,LF
Descripción:	MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-UDFNB
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVIII-H
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento	150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs	69mOhm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	6-UDFNB (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	3.2nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	430pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	3.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V