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SSM6J771G,LF

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SSM6J771G,LF
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVI
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	6-UFBGA, WLCSP
Vgs(th) (Max) - Id	1.2V @ 1mA, 3V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	31mOhm @ 3A, 8.5V
Disipación de energía (máx.)	1.2W (Ta)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	9.8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	870pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 8.5V