SSM6J503NU,LF
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SSM6J503NU,LF |
Descripción: | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSVI |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Vgs (máx.) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 32.4mOhm @ 3A, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 6-UDFNB (2x2) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 12.8nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 840pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 6A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
En stock 1865 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.59 | $0.58 | $0.57 |
Mínimo: 1