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SSM5H12TU(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SSM5H12TU(TE85L,F)
Descripción: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIII
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 133mOhm @ 1A, 4V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores UFV
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 1.9nC @ 4V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 123pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V

En stock 61 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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