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SSM3K56CT,L3F

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SSM3K56CT,L3F
Descripción:	MOSFET NCH 20V 800MA CST3
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVII-H
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	3-XFDFN
Vgs(th) (Max) - Id	1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TA)
Rds On (Max) - Id, Vgs	235mOhm @ 800mA, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	CST3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	1nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	55pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	800mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V