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SSM3K35AMFV,L3F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SSM3K35AMFV,L3F
Descripción: SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIII
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-723
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores VESM
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 0.34nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 36pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 250mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

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