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SSM3K318T,LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SSM3K318T,LF
Descripción: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 107mOhm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 700mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores TSM
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 235pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 54 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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