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SSM3K316T(TE85L,F)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SSM3K316T(TE85L,F) |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 4A TSM |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 53mOhm @ 3A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TSM |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 4.3nC @ 4V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 270pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
En stock 77 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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