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SSM3K2615R,LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SSM3K2615R,LF
Descripción: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie π-MOSV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-3 Flat Leads
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 300mOhm @ 1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23F
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 150pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 3.3V, 10V

En stock 60795 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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