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SSM3K16CT,L3F

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SSM3K16CT,L3F
Descripción:	X34 PB-F CST3 FET (LF) TRANSISTO
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	π-MOSIV
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	SC-101, SOT-883
Vgs(th) (Max) - Id	1.1V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento	150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs	3Ohm @ 10mA, 4V
Disipación de energía (máx.)	100mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	CST3
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	9.3pF @ 3V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	100mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V