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SSM3J56MFV,L3F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SSM3J56MFV,L3F
Descripción: MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-723
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 150mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores VESM
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 100pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 800mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

En stock 138101 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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