La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
SSM3J35CT,L3F
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SSM3J35CT,L3F |
| Descripción: | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | π-MOSVI |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SC-101, SOT-883 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V |
| Disipación de energía (máx.) | 100mW (Ta) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | CST3 |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 12.2pF @ 3V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 100mA (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V |
En stock 8735 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.34 | $0.33 | $0.33 |
Mínimo: 1
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