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SSM3J356R,LF
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SSM3J356R,LF |
| Descripción: | MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVI |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | +10V, -20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SOT-23-3 Flat Leads |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 300mOhm @ 1A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-23F |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 330pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
En stock 55521 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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