La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SSM3J353F,LF

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SSM3J353F,LF
Descripción:	X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVI
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	+20V, -25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id	2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs	150mOhm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.)	600mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	S-Mini
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	3.4nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	159pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V