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SSM3J15FV,L3F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SSM3J15FV,L3F
Descripción: MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie π-MOSVI
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-723
Vgs(th) (Max) - Id 1.7V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 12Ohm @ 10mA, 4V
Disipación de energía (máx.) 150mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores VESM
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 9.1pF @ 3V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V

En stock 16000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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