SSM3J108TU(TE85L)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SSM3J108TU(TE85L) |
Descripción: | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSIII |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 3-SMD, Flat Leads |
Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 158mOhm @ 800mA, 4V |
Disipación de energía (máx.) | 500mW (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | UFM |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 250pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1.8A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
En stock 74 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1