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SSM3J108TU(TE85L)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SSM3J108TU(TE85L)
Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIII
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-SMD, Flat Leads
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 158mOhm @ 800mA, 4V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores UFM
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 250pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V

En stock 74 pcs

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