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RN2901FE(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: RN2901FE(TE85L,F)
Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistencia - Base (R1) 4.7kOhms
Frecuencia - Transición 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores ES6
Resistencia - Base emisora (R2) 4.7kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 3301 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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