RN2610(TE85L,F)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Ficha técnica: | RN2610(TE85L,F) |
Descripción: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Serie | - |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 300mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SC-74, SOT-457 |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistencia - Base (R1) | 4.7kOhms |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Paquete de dispositivos de proveedores | SM6 |
Resistencia - Base emisora (R2) | - |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 2960 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1