La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

RN2312(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: RN2312(TE85L,F)
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-70, SOT-323
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 22 kOhms
Frecuencia - Transición 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores USM
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 3000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

DDTB122LC-7-F
Diodes Incorporated
$0
DDTA113TE-7-F
Diodes Incorporated
$0.28
DDTB142TC-7-F
Diodes Incorporated
$0
DDTC114WCA-7-F
Diodes Incorporated
$0
BFR540,235
NXP USA Inc.
$0