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RN2107ACT(TPL3)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: RN2107ACT(TPL3)
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-101, SOT-883
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 10 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores CST3
Resistencia - Base emisora (R2) 47 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 80mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 83 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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