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RN1970(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1970(TE85L,F)
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistencia - Base (R1) 4.7kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores US6
Resistencia - Base emisora (R2) -
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 3000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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