RN1909FE(TE85L,F)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Ficha técnica: | RN1909FE(TE85L,F) |
Descripción: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Serie | - |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistencia - Base (R1) | 47kOhms |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Paquete de dispositivos de proveedores | ES6 |
Resistencia - Base emisora (R2) | 22kOhms |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 3950 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1