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RN1706JE(TE85L,F)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Ficha técnica: | RN1706JE(TE85L,F) |
| Descripción: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Potencia - Máx. | 100mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SOT-553 |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Resistencia - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Frecuencia - Transición | 250MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | ESV |
| Resistencia - Base emisora (R2) | 47kOhms |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 98 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1
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