La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

RN1605TE85LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1605TE85LF
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-74, SOT-457
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistencia - Base (R1) 2.2kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SM6
Resistencia - Base emisora (R2) 47kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 4637 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

PBSS4112PANP,115
Nexperia USA Inc.
$0
STA434A
Sanken
$3.28
CMXT3906 TR
Central Semiconductor Corp
$0.47
HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.57