La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
RN1426TE85LF
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Ficha técnica: | RN1426TE85LF |
| Descripción: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 200mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Número de pieza base | RN142* |
| Resistencia - Base (R1) | 1 kOhms |
| Frecuencia - Transición | 300MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | S-Mini |
| Resistencia - Base emisora (R2) | 10 kOhms |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 800mA |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 99 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.09 | $0.09 | $0.09 |
Mínimo: 1
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