Image is for reference only , details as Specifications

RN1315,LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1315,LF
Descripción: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-70, SOT-323
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores USM
Resistencia - Base emisora (R2) 10 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.04 $0.04 $0.04
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

RN1311,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.04
RN1307,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.04
RN1304,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.04
DDTC144WCA-7-F
Diodes Incorporated
$0
DDTC124GCA-7-F
Diodes Incorporated
$0