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RN1309,LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1309,LF
Descripción: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-70, SOT-323
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 47 kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores USM
Resistencia - Base emisora (R2) 22 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 76 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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