RN1131MFV(TL3,T)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Ficha técnica: | RN1131MFV(TL3,T) |
Descripción: | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Serie | - |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
Potencia - Máx. | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-723 |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Resistencia - Base (R1) | 100 kOhms |
Paquete de dispositivos de proveedores | VESM |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 95 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1