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RN1131MFV(TL3,T)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1131MFV(TL3,T)
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-723
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 100 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores VESM
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 95 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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