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RN1111,LF(CT

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica:	RN1111,LF(CT
Descripción:	TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie	-
Empaquetado	Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	100mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	SC-75, SOT-416
Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1)	10 kOhms
Frecuencia - Transición	250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores	SSM
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.)	100mA
Corriente - Corte del colector (máx.)	100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	50V