RN1108ACT(TPL3)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Ficha técnica: | RN1108ACT(TPL3) |
Descripción: | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Serie | - |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SC-101, SOT-883 |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Resistencia - Base (R1) | 22 kOhms |
Paquete de dispositivos de proveedores | CST3 |
Resistencia - Base emisora (R2) | 47 kOhms |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 80mA |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 94 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1