La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

RN1101MFV,L3F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1101MFV,L3F
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-723
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 4.7 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores VESM
Resistencia - Base emisora (R2) 4.7 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 79 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

ADTA144ECAQ-13
Diodes Incorporated
$0.03
BCR191E6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
BCR146E6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
BCR141E6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
BCR133E6433HTMA1
Infineon Technologies
$0