La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

MT3S20P(TE12L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ficha técnica: MT3S20P(TE12L,F)
Descripción: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganar 16.5dB
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.8W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-243AA
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 7GHz
Paquete de dispositivos de proveedores PW-MINI
Figura de ruido (dB Typ - f) 1.45dB @ 1GHz
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 80mA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 12V

En stock 610 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NE68039R-T1
CEL
$0.75
2SC5347AF-TD-E
ON Semiconductor
$0
2SC4626JCL
Panasonic Electronic Components
$0
ZUMT918TA
Diodes Incorporated
$0.54
DDTC123TCA-7-F
Diodes Incorporated
$0