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MT3S16U(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ficha técnica: MT3S16U(TE85L,F)
Descripción: RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganar 4.5dBi
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-70, SOT-323
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento 125°C (TJ)
Frecuencia - Transición 4GHz
Paquete de dispositivos de proveedores USM
Figura de ruido (dB Typ - f) 2.4dB @ 1GHz
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 60mA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 5mA, 1V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 5V

En stock 7898 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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