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MT3S113TU,LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ficha técnica: MT3S113TU,LF
Descripción: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganar 12.5dB
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 900mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-SMD, Flat Leads
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 11.2GHz
Paquete de dispositivos de proveedores UFM
Figura de ruido (dB Typ - f) 1.45dB @ 1GHz
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 5.3V

En stock 5960 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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