MT3S113TU,LF
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Ficha técnica: | MT3S113TU,LF |
Descripción: | RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Ganar | 12.5dB |
Serie | - |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 900mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 3-SMD, Flat Leads |
Tipo de transistor | NPN |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Frecuencia - Transición | 11.2GHz |
Paquete de dispositivos de proveedores | UFM |
Figura de ruido (dB Typ - f) | 1.45dB @ 1GHz |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 5.3V |
En stock 5960 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1