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MT3S111TU,LF
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Ficha técnica: | MT3S111TU,LF |
| Descripción: | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Ganar | 12.5dB |
| Serie | - |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 800mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 3-SMD, Flat Leads |
| Tipo de transistor | NPN |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 10GHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | UFM |
| Figura de ruido (dB Typ - f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 6V |
En stock 57 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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