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HN4K03JUTE85LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: HN4K03JUTE85LF
Descripción: MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Disipación de energía (máx.) 200mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores USV
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 8.5pF @ 3V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V

En stock 75 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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